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TC58NVG0S3HBAI4 플래시 메모리 칩, IC 저속한 저장 칩 1G 평행선 63TFBGA

기본 정보
인증: Original Parts
모델 번호: TC58NVG0S3HBAI4
최소 주문 수량: 1개 조각
가격: Negotiation
포장 세부 사항: 10cm x 10cm x 5cm
배달 시간: 3-5 일 일
지불 조건: T/T, PayPal, 서부 동맹, 조건부 날인 증서 및 다른 사람
공급 능력: 달 당 500-2000pcs
상세 정보
품목 Numbe: TC58NVG0S3HBAI4 밀도: 1Gb (128M x 8)
제품 카테고리: 기억 & 플래시 메모리 기억 공용영역: 평행선
볼트.: 2.7 V ~ 3.6 볼트 과학 기술: 섬광 - 낸드 (TLC)
임시 직원.: -40°C ~ 85°C (TA) 꾸러미: BGA63
하이 라이트:

플래시 메모리 IC 칩

,

플래시 메모리 컨트롤러 칩


제품 설명

플래시 메모리 칩 TC58NVG0S3HBAI4 IC 섬광 1G 평행선 63TFBGA

 

종류 직접 회로 (ICs)  
기억  
제조자 toshiba Memory America, Inc.  
시리즈 -  
포장  쟁반   
부분 상태 활동  
기억 유형 불휘발성  
기억 체재 섬광  
기술 섬광 - 낸드 (SLC)  
기억 용량 1Gb (128M x 8)  
주기 시간 - 낱말, 페이지를 쓰십시오 25ns  
접근 시간 25ns  
기억 공용영역 평행선  
전압 - 공급 2.7 V ~ 3.6 볼트  
작용 온도 -40°C ~ 85°C (TA)  
설치 유형 지상 산  
포장/케이스 63-VFBGA  
공급자 장치 포장 63-TFBGA (9x11)

 

 

특징:

TC58NVG0S3HBAI4 플래시 메모리 칩, IC 저속한 저장 칩 1G 평행선 63TFBGA 0

TC58NVG0S3HBAI4 플래시 메모리 칩, IC 저속한 저장 칩 1G 평행선 63TFBGA 1

연락처 세부 사항
Karen.