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제품 소개드램 메모리 칩

H5TQ4G63CFR-RDC 드램 메모리 칩 256MX16 CMOS PBGA96 표면 산 고능률

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제품 상세 정보:

원래 장소: 대한민국
브랜드 이름: SK HYNIX
인증: ORIGINAL PARTS
모델 번호: H5TQ4G63CFR-RDC

결제 및 배송 조건:

최소 주문 수량: 1개의 포장
가격: Negotiation
포장 세부 사항: 쟁반 포장, 1600/box
배달 시간: 3-5 일 일
지불 조건: T/T, PayPal, 서부 동맹, 조건부 날인 증서 및 다른 사람
공급 능력: 달 당 10K
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상세 제품 설명
품목 No.: H5TQ4G63CFR-RDC 기억 IC 유형: DDR 드램
접근 모드: 다 은행 페이지 파열 꾸러미: R-PBGA-B96
기억 폭: 16 장착: 표면 실장

드램 메모리 칩 H5TQ4G63CFR-RDC DDR 드램, 256MX16, CMOS, PBGA96
 
H5TQ4G63는 이상적으로 주기억 장치 신청을 위해 적응된 큰 기억 조밀도 및 높은 대역폭을 요구하는 4,294,967,296 조금 CMOS 두 배 전송율 III (DDR3) 동시 드램, 입니다. 시계의 일어나고는 및 떨어지는 가장자리 모두에 참조 사항를 붙이는 SK 하이닉스 4Gb DDR3 SDRAMs 제안 완전히 동기 동작. 모든 주소 및 통제 입력이 ck (ck의 떨어지는 가장자리)의 상승 가장자리에 걸쇠를 거는 동안, 자료, 자료 스트로브는 및 입력이 그것의 상승 및 떨어지는 가장자리 모두에 간색되는 자료 가면을 씁니다. 자료 경로는 내부에 아주 높은 대역폭을 달성하기 위하여 도관을 설치하고 8 비트는 prefetched.
 

특징

  • VDD=VDDQ=1.5V +/- 0.075V
  • 완전히 차별 클럭 입력 (ck, ck) 가동
  • 차별 자료 스트로브 (DQS, DQS)
  • 칩 DLL에 ck 전환을 DQ, DQS 및 DQS 전환을 맞추십시오
  • DM 가면은 자료 스트로브의 모두 상승 및 떨어지는 가장자리에자료에서 씁니다
  • 시계의 일어나는 가장자리에 걸쇠를 거는 자료, 자료 스트로브 및 자료 가면을 제외하고 모든 주소 그리고 통제 입력
  • 풀그릴 CAS 잠복 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 13 및 지원되는 14
  • 지원되는 풀그릴 부가적인 잠복 0, CL-1 및 CL 2
  • 풀그릴 CAS는 잠복 (CWL)를 = 5, 6, 7, 8 9 및 10 씁니다
  • 연속되기도 하고 입질 인터리브 형태를 가진 풀그릴 파열 길이 4/8
  • 대충 상황을 봐 가며 BL 스위치
  • 8banks
  • 평균은 주기 (0°C~ 95°C)의 Tcase를 상쾌하게 합니다
    • 0°C ~ 85°C에 7.8 µs
    • 85°C ~ 95°C 상업적인에 3.9 µs 온도 (0°C ~ 95°C) 산업 온도 (-40°C ~ 95°C)
  • JEDEC 표준 78ball FBGA (x8), 96ball FBGA (x16)
  • EMRS에 의해 선정되는 운전사 힘
  • 동 위에 종료는 지원된 죽습니다
  • 지원되는 비동시성 리셋 핀
  • 지원되는 ZQ 구경측정
  • 지원되는 TDQS (종료 자료 스트로브) (x8만)
  • Levelization를 지원했습니다 쓰십시오
  • 8개 조금 사전 페치

기술적인 속성

 
 
 
 
 

ECCN/UNSPSC

 
 

연락처 세부 사항
TAISHENG INT'L TECHNOLOGY(HK) LIMITED

담당자: Karen.

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