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제품 소개드램 메모리 칩

H5TC4G63CFR - PBAR DDR3 드램 메모리 칩 256MX16 CMOS PBGA96 드램 단위

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제품 상세 정보:

원래 장소: 실물
브랜드 이름: HYNIX
인증: ORIGINAL PARTS
모델 번호: H5TC4G63CFR-PBAR

결제 및 배송 조건:

최소 주문 수량: 1개의 포장
가격: Negotiation
포장 세부 사항: 10cmX10cmX5cm
지불 조건: T/T, PayPal, 서부 동맹, 조건부 날인 증서 및 다른 사람
공급 능력: 달 당 30 K
Contact Now
상세 제품 설명
품목 No.: H5TC4G63CFR-PBAR 기억 폭: 16
기억 조밀도: 4기가바이트 꾸러미: PBGA-96
기억 IC TypeLE: 드램 단위

H5TC4G63CFR-PBAR DDR3 드램 기억 (256MX16, CMOS, PBGA96)

H5TC4G63CFR - PBAR DDR3 드램 메모리 칩 256MX16 CMOS PBGA96 드램 단위

부속은 이상적으로 주기억 장치 신청을 위해 적응된 1.35V에 큰 기억 조밀도, 높은 대역폭 및 저출력 가동을 요구하는 4Gb 저출력 두 배 전송율 III (DDR3L) 동시 드램, 입니다. SK 하이닉스 DDR3L SDRAM는 어떤 변화도 없이 1.5V DDR3에 근거한 환경을 이전 버전 호환을 제공합니다. SK 하이닉스 4Gb DDR3L
시계의 일어나고기 및 떨어지기 가장자리 모두에 참조 사항를 붙이는 SDRAMs 제안 완전히 동기 동작. 동안에
모든 주소 및 통제 입력은 시계 (시계의 떨어지기 가장자리)의 상승 가장자리에 걸쇠를 겁니다,
자료, 자료 스트로브는 입력이 그것의 상승 및 떨어지기 가장자리 모두에 간색되는 자료 가면을 쓰고. 자료
경로는 내부에 아주 높은 대역폭을 달성하기 위하여 도관을 설치하고 8 비트는 prefetched.

명세

Mfr 포장 묘사 FBGA-96
고분고분한 도달 그렇습니다
고분고분한 EU RoHS 그렇습니다
고분고분한 중국 RoHS 그렇습니다
상태 활동
접근 모드 다 은행 페이지 파열
JESD-30 부호 R-PBGA-B96
기억 조밀도 4.294967296E9 조금
기억 IC 유형 드램 단위
기억 폭 16
기능의 수 1
항구의 수 1
맨끝의 수 96
낱말의 수 2.68435456E8 낱말
낱말 부호의 수 256M
동작 방식 동시
작동 온도 분 0.0 Cel
온도 최대 운영하기 85.0 Cel
조직 256MX16
포장 몸 물자 PLASTIC/EPOXY
포장 부호 TFBGA
포장 모양 직사각형
포장 작풍 격자 배열, 얇은 단면도, 정밀한 피치
최고봉 썰물 온도 (Cel) 260
자리가 주어진 고도 최대 1.2 mm
공급 전압 Nom (Vsup) 1.35 V
공급 전압 분 (Vsup) 1.283 V
전압 최대 공급 (Vsup) 1.45 V
지상 산 그렇습니다
기술 CMOS
온도 급료 다른 사람
끝 모양
끝 피치 0.8 mm
끝 위치 바닥
온도 최대 Time@Peak 썰물 (s) 20
길이 13.0 mm
7.5 mm
추가 특징 AUTO/SELF는 상쾌하게 합니다

연락처 세부 사항
TAISHENG INT'L TECHNOLOGY(HK) LIMITED

담당자: Karen.

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