저출력 플래시 메모리 IC 칩 64Mx16 BGA84 W971GG6JB-18 IC SDRAM DDR2

플래시 메모리 칩 W971GG6JB-18의 IC SDRAM DDR2 64Mx16 메모리 칩 BGA84

W971GG6JB는 8,388,608의 단어로 x를 편성된 1G 조금 DDR2 SDRAM 8개의 은행 x 16 조금입니다. 이 장치는 각종 신청을 위한 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066)까지 고속 전송율을 달성합니다. W971GG6JB는 뒤에 오는 급료 부속으로 분류됩니다: -18, -25, 25L, 25I, 25A, 25K 그리고 -3. -18의 급료 부속은 DDR2-1066 (6-6-6) 명세에 고분고분합니다. -25/25L/25I/25A/25K 급료 부속은 DDR2-800 (5-5-5) 명세에 고분고분합니다 (25L 급료 부속은 지원하기 위하여 IDD2P = 7 mA 보장됩니다 IDD6는 = 상업적인 온도에 4 mA, 25I 산업 급료 부속 -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C)를 지원하기 위하여 보장되고. -3의 급료 부속은 DDR2-667 (5-5-5) 명세에 고분고분합니다.

제안하는 경우에, 2개의 동시 필요조건이 있으면, 자동 급료 부속 온도: +95°C (25A를 위해), +105°C (25K를 위해), 및 케이스 온도 (TCASE)가 보다는 -40°C 또는 더 중대한 +95°C (25A를 위해), +105°C 더 적은일 수 없다 더 중대할 장치를 포위하는 주위 온도 (TA)는 -40°C 보다는 더 적은 또는수 없습니다 (25K를 위해). JEDEC 명세는 TCASE가 +85°C를 초과할 때 재생율이 두배로 할 것을 요구합니다; 이것은 또한 고열 각자의 사용을 상쾌하게 합니다 선택권을 요구합니다. TCASE가 +85°C. 때 게다가, ODT 저항과 입출력 임피던스는 감세해야 < 0=""> 합니다.

통제와 주소 입력 전부는 외면적으로 공급된 차별 시계의 쌍과 동기화됩니다. 입력은 차별 시계 (CLK 일어나는 및 내리는 CLK 아닙니다)의 교차점에 걸쇠를 겁니다. 모든 I/Os는 근원 동시 유행에 있는 끝난 DQS 또는 미분 DQS- DQS 쌍과 아닙니다 동기화됩니다.

특징:

특징

• 전력 공급: VDD, VDDQ = 1.8 볼트 ± 0.1 V
• 두 배 전송율 건축술: 클럭 사이클 당 2개의 데이타 전송
• CAS 잠복: 3, 4, 5, 6 및 7
• 파열 길이: 4와 8
• 양지향성의, 차별 자료 스트로브는 자료로 (DQS와 DQS 아닙니다) 전달되고/받아집니다
• 읽힌 자료를 가장자리 맞추고를 센터 맞춰 자료를 쓰십시오
• DLL는 시계를 DQ와 DQS 전환을 맞춥니다
• 차별 클럭 입력 (CLK와 CLK 아닙니다)
• 자료는 (DM)를을 위한 씁니다 자료를 복면합니다
• 각 긍정적인 CLK 가장자리, 자료 및 자료 가면에 입력된 명령어는 DQS의 두 가장자리 전부에 참조 사항를 붙입니다
• 배치된 명령과 자료 버스 효율성을 만들기 위하여 지원되는 CAS 풀그릴 부가적인 잠복 아닙니다
• 잠복을 = CAS 잠복 플러스 부가적인 잠복 읽으십시오 (RL = 알루미늄 + CL)
• 떨어져 칩 운전사 임피던스 조정 (OCD)와 더 나은 신호 품질을 위한에 거푸집 종료 (ODT)
• 읽는을 위한 자동 미리충전 가동은 파열을 씁니다
• 자동차는 상쾌하게 하고 각자는 형태를 상쾌하게 합니다
• Precharged 힘 아래로 및 유효 동력 아래로
• 자료 가면을 쓰십시오
• 잠복을 = 읽힌 잠복 - 1 (WL = RL - 1) 쓰십시오
• 공용영역: SSTL_18
• , 고분고분한 RoHS를 가진 무연 물자를 사용하는 WBGA 84 공 (8X12.5 mm ²)에서 포장하는