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묻힌 체계 84TFBGA에 있는 W9712G6KB-25 IC 드램 128mb 낸드 플래시 메모리 안전

W9712G6KB-25 IC DRAM 128mb Nand Flash Memory Security In Embedded System 84TFBGA
W9712G6KB-25 IC DRAM 128mb Nand Flash Memory Security In Embedded System 84TFBGA W9712G6KB-25 IC DRAM 128mb Nand Flash Memory Security In Embedded System 84TFBGA
기본 정보
인증: Original Parts
모델 번호: W9712G6KB-25
최소 주문 수량: 1명의 포장 업체
가격: Negotiation
포장 세부 사항: 10cm x 10cm x 5cm
배달 시간: 3-5 일 일
지불 조건: T/T, PayPal, 서부 동맹, 조건부 날인 증서 및 다른 사람
공급 능력: 달 당 6000pcs
최고의 가격 지금 연락
상세 정보
품목 Numbe: W9712G6KB-25 제품 카테고리: 기억 & 플래시 메모리
저장력: 128Mb (8M x 16) 회수: 200MHz
볼트: 1.7 V ~ 1.9 볼트 과학 기술: SDRAM - DDR2
임시 직원.: 0°C ~ 85°C (TC) 꾸러미: BGA84
하이 라이트:

낸드 유형 플래시 메모리

,

플래시 메모리 IC 칩

제품 설명

플래시 메모리 칩 W9712G6KB-25, IC 드램 128M 평행한 84TFBGA

 

 

제품 기술 명세

EU RoHS 고분고분한
ECCN (미) EAR99
드램 유형 DDR2 SDRAM
(물리는) 칩 조밀도 128M
조직 8Mx16
내부 은행의 수 4
은행 당 낱말의 수 2M
(물리는) 조금/낱말의 수 16
(물리는) 자료 버스 폭 16
최대 접근 시간 (ns) 0.4
(물리는) 주소 버스 폭 15
인터페이스 유형 SSTL_18
최소한도 운영 공급 전압 (v) 1.7
전형적인 운영 공급 전압 (v) 1.8
최대 운영 공급 전압 (v) 1.9
동작 전류 (mA) 135
최소한도 작용 온도 (°C) 0
최대 작동 온도 (°C) 85
입력/출력의 수는 일렬로 세웁니다 (물어) 16
공급자 포장 TFBGA
표준 패키지 이름 BGA
Pin 조사 84
거치 지상 산
포장 고도 0.8 (최대)
포장 길이 12.5
포장 폭 8
바뀌는 PCB 84
지도 모양 공

 

 

특징:

묻힌 체계 84TFBGA에 있는 W9712G6KB-25 IC 드램 128mb 낸드 플래시 메모리 안전 0

묻힌 체계 84TFBGA에 있는 W9712G6KB-25 IC 드램 128mb 낸드 플래시 메모리 안전 1

 

 

태그:

flash memory ic chip,

nand type flash memory,

flash memory controller chip

연락처 세부 사항
Karen.
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